应用场景
半导体
面向晶圆制造工艺的耐等离子体与耐化学腐蚀密封方案。
常见失效问题
- 等离子体、HF、NF₃ 与氯系物种会侵蚀常规弹性体
- 颗粒与金属污染直接降低器件良率
- 高温热工艺（扩散、外延、RTP）要求压缩永久变形保持稳定
- 长维护周期对低释气与低析出提出要求
工艺环节
CVD / PECVD / HDPCVD / RPCVD等离子刻蚀与去胶扩散、RTP 与外延溅射、注入与湿法清洗
设备部位
腔体门与狭缝阀 / 摆阀气体入口与 KF 接口观察窗与排气线路等离子体发生器
优先考虑的牌号
OMS70S
73 Shore A · -10 to +275 °C
牌号数据OMS7102
75 Shore A · -10 to +300 °C
牌号数据OME7505
75 Shore A · -10 to +320 °C
牌号数据OMS7503
70 Shore A · -10 to +275 °C
牌号数据各牌号适用说明
- OMS70S——透明超高纯牌号，适用于氧气/含氟等离子体
- OMS7102——白色低金属离子牌号，适用于刻蚀与 CVD
- OME7505——热工艺牌号，上限 320 °C
其他工况
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提供介质、温度与运动方式，我方确认牌号与公差等级。