Compuestos FFKM propios · −42 °C a +320 °C · Cantidades de pedido flexibles

Aplicaciones

Semiconductores

Juntas FFKM resistentes al plasma y a los productos químicos para la fabricación de obleas.

Qué falla

  • El plasma, el HF, el NF₃ y las especies de cloro atacan a los elastómeros convencionales
  • La contaminación por partículas y metales reduce directamente el rendimiento de los dispositivos
  • Los procesos térmicos de alta temperatura (difusión, epitaxia, RTP) exigen un conjunto de compresión estable
  • Los intervalos de servicio prolongados exigen un bajo desgasificado y una baja extracción

Etapas del proceso

CVD / PECVD / HDPCVD / RPCVDGrabado por plasma y ashingDifusión, RTP y epitaxiaSputtering, implantación y limpieza húmeda

Equipos

Puertas de cámara y válvulas de compuerta / pendularesEntradas de gas y racores KFMirillas y líneas de escapeGeneradores de plasma

Grados de partida recomendados

Aplicación de cada grado

  • OMS70S — grado transparente de pureza ultraalta para plasma de O₂ / basado en F
  • OMS7102 — grado blanco de bajo contenido de iones metálicos para grabado y CVD
  • OME7505 — grado para proceso térmico hasta 320 °C

Otros entornos

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  1. 1 Material
  2. 2 Dureza
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  4. 4 Cantidad
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  6. 6 Sus datos

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1 Material

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